Cientistas da IBM afirmam ter desenvolvido um novo tipo de memória que promete ser 100 vezes mais rápida que a flash, utilizada atualmente em diversos aparelhos, de notebooks até celulares. Chamada de "phase-change memory" (PCM), pode, também, armazenar múltiplos dados por célula por um longo período sem risco de perder parte da informação. Além disso, a descoberta permitirá inicializar computadores e servidores instantaneamente.
De acordo com a companhia, o sistema permite o desenvolvimento de novas aplicações que façam uso dessa memória, que traz um acesso mais rápido e durável aos dados, além de apresentar um baixo custo. O sistema promete resistir a 10 milhões de ciclos de uso, contra cerca de 3 mil da memória flash voltada para consumidores, ou seja, ela pode durar mais sem a perda de dados após um grande número de acessos ou tempo de utilização.
A PCM é feita de uma liga especial de materiais que podem ser transformados em diferentes estados físicos por meio de pequenas descargas elétricas. A intenção é utilizar a novidade em celulares e em servidores de armazenamento na nuvem. A IBM diz que a PCM pode ser um novo avanço para as áreas de TI das empresas e para sistemas de armazenamento nos próximos 5 anos.
"Com os consumidores e empresas utilizando cada vez mais modelos e serviços baseados na nuvem, é preciso criar tecnologias de armazenamento mais baratas e poderosas", disse Haris Pozidis, chefe da área de pesquisa de tecnologias de memória da IBM. "Ao demonstrar a PCM, damos um grande passo para criar dispositivos de armazenamento mais confiáveis e com mais espaço".
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